用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

摘要：

介绍了基于光刻机的150nmT型栅GaAs PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤.利用新工艺在某100 mm GaAs工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的GaAs PHEMT的各项性能指标及可靠性.最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上,但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力.

关键词：砷化镓、赝配高电子迁移率晶体管、可靠性、T型栅

所属期刊栏目：16

分类号：TN386;TN43(半导体技术)

在线出版日期：2016-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48