10.3969/j.issn.1681-1070.2016.08.009
薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应.主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系.提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法.
CMOS集成电路、闩锁效应、外延片、穿通击穿
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TN432.1(微电子学、集成电路(IC))
2016-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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