TO型封装的真空储能焊密封工艺研究

摘要：

研制了一种采用储能焊实现TO型封装半导体器件的真空密封装置.该装置由叠形波纹管、密封圈及气室外壳的配合形成上、下气室,利用磁铁同性相斥原理将待密封的管帽与管座分离及定位,达到抽真空时充分排气的目的.实验探索了TO器件的真空封装工艺,一次压力为0.4 MPa、二次压力为0.6 MPa、充电电压为350 V时封口质量最好.对密封后的器件进行了焊接强度及气密性测试,封口强度高,无漏气现象.

关键词：真空封装、储能焊、TO封装

所属期刊栏目：16

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13