10.3969/j.issn.1681-1070.2016.05.011
LCP基RF MEMS开关的工艺研究
在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多.主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案.通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化.研制的LCP基RF MEMS开关样件频率≤20 GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20 dB,隔离度≥20 dB,驱动电压30~50 V.该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值.
LCP基材、柔性、桥式RF MEMS开关、薄膜微桥
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TN305(半导体技术)
2016-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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