商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究

摘要：

对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究.其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad(Si)以上时,内核1.8VNMOS晶体管出现场区漏电.通过电路总剂量辐照试验,表明NMOS晶体管是薄弱点.需要开发STI场区总剂量加固技术,以满足抗辐射电路研制要求.

关键词：商用工艺、总剂量、辐射、MOSFET

所属期刊栏目：16

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44