10.3969/j.issn.1681-1070.2016.03.008
基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计
存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节.经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差.提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力.同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力.
SRAM加固、DICE、分离位线、单粒子翻转
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
2016-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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