10.3969/j.issn.1681-1070.2016.01.010
一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法
在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变温变掺杂流量工艺,才能使外延层纵向载流子浓度分布(SRP)满足器件要求。
埋层外延、变温变掺杂流量、纵向载流子浓度分布(SRP)
TN305.5(半导体技术)
2016-03-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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