SRAM中器件参数的设计方法

摘要：

为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题，首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型，使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数，然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度，比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例，计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度，得出SNFP工艺角为最优工艺条件，对于1.2 V电源电压，驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

关键词：静态随机存储器、参数匹配、工艺角

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47