一种高性能带隙基准电压源设计

摘要：

对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构，基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放，运放输出用作PMOS电流源偏置，提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度系数为4.18×10-6/℃，低频下电源抑制比达到-94 dB。在SMIC 65 nm CMOS工艺下，芯片面积为0.5×0.1 mm2，功耗为0.56 mW。

关键词：带隙基准、CMOS、温度系数、电源抑制比

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29