6英寸高均匀性P型硅外延片的工艺研究

摘要：

主要进行了6英寸（152.4 mm）高均匀性P型硅外延片的生产工艺研究。利用 PE-2061S型桶式外延炉，在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P+型硅外延层。通过流场调节工艺、基座包硅工艺、变流量解吸工艺、两步生长工艺等关键工艺的改进，对非主动掺杂效应进行了有效抑制，利用FTIR（傅里叶变换红外线光谱分析）、C-V（电容-电压测试）、SRP（扩展电阻技术）等测试方法对外延层的电学参数以及过渡区形貌进行了测试，得到结晶质量良好、厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<1.5%的6英寸P型高均匀性硅外延片，各项参数均可以达到器件的使用要求。

关键词：6英寸、均匀性、P型硅外延、非主动掺杂

分类号：TN304.05(半导体技术)

在线出版日期：2015-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39