CMOS工艺中PIP电容的不同制作方法

摘要：

在CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补式金属-氧化物-半导体）器件制造工艺中，通常都需要集成PIP（Polysilicon-Insulator-Polysilicon，多晶硅-介电层-多晶硅）电容，该电容的制作非常重要。介绍了PIP电容的4种制作工艺，并分别对比了优劣。4种方法分别是：将PIP制作步骤放在第一层多晶硅刻蚀之后，将PIP制作步骤放在侧墙氧化层刻蚀之后，将PIP制作步骤放在源漏离子注入之后，将PIP制作步骤放在第一层多晶硅沉积之后。由于PIP工艺中的热过程对CMOS器件会有影响，且不同的PIP工艺对单项工艺的要求不同，所以这4种方法对器件参数的影响会各有不同。最后通过实际流片验证，证实了第四种方法对器件参数影响最小，且工艺难度最小，与理论分析完全一致。

关键词：PIP电容、CMOS(互补式金属-氧化物-半导体)、工艺

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2015-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：38-43