具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究

摘要：

通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件进行了设计与优化。仿真结果表明：对于击穿电压为600 V的RESURF（reduced surface field）LDMOS器件，场板能够有效地优化器件表面电势分布，降低电场峰值，提高器件的击穿电压。其中场板的数量、长度等参数对高压RESURF-LDMOS器件的耐压有较大影响。并且场板结构增加了double RESURF器件P-top剂量的容差范围，影响了器件的导通电阻。

关键词：LDMOS、浮空场板、RESURF

分类号：TN321+.3(半导体技术)

在线出版日期：2015-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37