基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究

摘要：

针对体硅MEMS加工技术的特点，确定了悬浮微结构的加工工艺流程，并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究，得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数，以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数，采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。

关键词：体硅工艺、悬浮微结构、硅基深槽腐蚀、ICP刻蚀

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61404119

在线出版日期：2015-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40