10.3969/j.issn.1681-1070.2015.07.007
一种Divided RESURF高压互连结构研究
高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究,使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,通过进行二维仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到903 V,可用于600 V高压集成电路中。
高压互连线、击穿耐压、Divided RESURF
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2015-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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