10.3969/j.issn.1681-1070.2015.07.006
0.8μm SOI CMOS抗辐射加固工艺辐射效应研究
采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术,研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究。对比抗辐射加固工艺前后器件的Id-Vg曲线以及前栅、背栅阈值随辐射总剂量的变化关系,得到1 Mrad(Si)总剂量辐射下器件前栅阈值电压漂移小于0.15 V。最后对加固和非加固的电路静态电流、动态电流、功能随辐射总剂量的变化情况进行了研究,结果表明抗辐射加固工艺制造的电路抗总剂量辐射性能达到500 krad(Si)。
SOI、radiation-hard、ASIC、SIMOX
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2015-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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