MTM反熔丝单元的总剂量效应研究

摘要：

对单个MTM（Metal-to-Metal）反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究，模拟可编程器件实际应用环境，通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照（总剂量达2 Mrad(Si)），得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析，最终得到结论：MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。

关键词：MTM、反熔丝、总剂量

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2015-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-38,48