10.3969/j.issn.1681-1070.2015.06.004
功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素
热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数,因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点,总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11,阐述功率MOSFET热阻测试原理,并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj 以及测试夹具进行了具体分析,总结出减少热阻测试误差的方法,为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。
热阻测试原理、测试电流、校准系数、参考结温、测试夹具
TN305.94(半导体技术)
2015-07-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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