总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响

摘要：

介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移，泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad（Si）的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型（无场区边缘）NMOS晶体管，前栅阈值电压漂移小于0.1 V；对于H型PMOS晶体管，前栅阈值电压漂移小于0.15 V；未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad（Si）范围内，静态电流小于1 mA。通过实验数据表明，在较高剂量辐射条件下，利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。

关键词：注氧隔离、绝缘体上硅、辐射加固、总剂量

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2015-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：41-45