10.3969/j.issn.1681-1070.2015.03.010
势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响
目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。
共振隧穿二极管、GaAs/AlGaAs、对称双势垒、势阱宽度、势垒宽度、负阻特性
TN312.2;TN313.2(半导体技术)
国家自然科学基金61302009;浙江省研究生科研创新基金2014KYJJ026
2015-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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