一种900 V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

摘要：

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用，然而在高压功率MOSFET器件中，如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件，运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化，得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明，设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω，很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。

关键词：功率MOSFET、超结VDMOSFET、导通电阻、击穿电压

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：重庆市教委科学技术研究项目KJ120505

在线出版日期：2015-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：29-34