PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源

摘要：

提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论，采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、温度的敏感性。仿真结果表明：在不同工艺角下，电源电压、温度使基准电压Vref的变化仅为±1.36%。电压参考源的温度系数大约为4.5×10-6℃-1，电源线性调制率为2.1% mV·V-1，最小工作电压仅为0.56 V。

关键词：亚阈值MOSFET、电压基准源、PVT恒定、低工作电压

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-13,17