500 V LDMOS研制

摘要：

为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计.设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上.由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能.击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构.利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值.

关键词：LDMOS、漂移区、高压N阱、深N阱、击穿电压

所属期刊栏目：15

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2015-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40