总剂量加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响

摘要：

采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响.加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关.通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响.

关键词：离子注入、SOI、NMOSFET、总剂量辐射

所属期刊栏目：14

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2015-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36