10.3969/j.issn.1681-1070.2014.11.008
一种高电源抑制比的带隙基准电压源的设计
提出一种采用BiCMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计。该模块基本原理是利用具有正温度系数的热电压VT和具有负温度系数的双极型晶体管VBE叠加产生与温度和电源电压无关的基准电压VREF。该设计中带隙基准电压在25℃时,为1.242 V左右。温度从-40~120℃变化时,带隙基准电压变化10 mV,可以计算出温度系数为60×10-6℃-1。
带隙基准源、与绝对温度成正比、电源抑制比、低温度系数
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2014-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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