高深宽比硅通孔检测技术研究

摘要：

由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高，研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率，改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间，获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔，并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度，可以替代SEM、FIB检测方法。

关键词：深硅刻蚀、白光干涉、侧壁粗糙度、通孔形状、通孔深度、无损检测

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2014-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12