10.3969/j.issn.1681-1070.2014.09.010
一种低压分段线性曲率校正CMOS带隙基准源设计
在传统低压带隙基准的基础上,通过设计与热力学温度成正比的电流(IPTAT)及与热力学温度呈互补关系的电流(ICTAT),实现节点电流相减,从而产生分段线性电流作为基准源的曲率校正分量,设计了一个性能更佳的曲率校正带隙基准。电路采用低压运放及低压PTAT电流产生模块,工作电压低。Cadence仿真结果显示,在-40~125℃温度范围内,平均温度系数大约3×10-6℃-1,最低工作电压在1V左右,可用于低电源电压、高精度的集成芯片。
带隙基准、曲率校正、温度系数
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2014-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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