一种精确测量MOSFET晶圆导通电阻的方法

摘要：

导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET晶圆测试中的一个难点。要实现毫欧级导通电阻的测试，必须用开尔文测试法；但实际的MOSFET晶圆表面只有两个电极（G、S），另外一个电极（D）在圆片的背面，通常只能将开尔文的短接点接在承载圆片的吸盘边缘，无法做到真正的开尔文连接，由于吸盘接触电阻无法补偿而且变化没有规律，导致导通电阻无法精确测量。介绍了一种借用临近管芯实现真正开尔文测试的方法，可以实现MOSFET晶圆毫欧级导通电阻准确稳定的测量。

关键词：MOS管、导通电阻、开尔文连接、自动测试设备、待测器件、晶圆测试、管芯

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2014-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20