基于J750EX测试系统的SDRAM测试技术研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1681-1070.2014.08.004

基于J750EX测试系统的SDRAM测试技术研究

引用
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)以其卓越的性能、低廉的价格得到了广泛的应用,但由于此类器件具有容量较大(通常为百兆级及以上)、对其实施控制较复杂等特点,使得SDRAM的测试也存在较高难度,因此,探索SDRAM的测试技术,并创建该类器件的测试平台也具有十分重要的意义。首先介绍了SDRAM的基本工作原理,其次详细阐述了基于J750EX测试系统的测试技术研究,提出了采用J750EX系统的DSIO资源实现SDRAM地址累加生成的方法,大大减少了测试矢量长度,可以有效节省测试开发时间,降低测试成本。另外,针对SDRAM的关键时序参数,如tRCD(行选通周期)、CL(读取潜伏期)、tWR(写回时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成SDRAM复杂的时序配合,从而达到器件性能的测试要求。

同步动态随机存储器、DSIO、J750EX

TN407(微电子学、集成电路(IC))

2014-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

18-24,41

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子与封装

1681-1070

32-1709/TN

2014,(8)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn