一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化

摘要：

传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾，提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化，实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率（di/dt）较传统工艺所制造的器件提高15%，最大工作温度降低33%，热逸散速度提高36%。

关键词：三重扩散、栅控晶闸管、电流上升率、脉冲放电

分类号：TN386.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02706-003；预研项目51308030407

在线出版日期：2014-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：29-33