Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究

摘要：

Trench VDMOS的制造流程中，要进行多晶的淀积、回蚀、清洗，其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数，诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中，要重点控制沉积速率、炉管清洁周期，防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序，要重点控制刻蚀反应物，防止造成多晶残留。清洗工序，通过选择不含水分的溶剂，避免大量水痕缺陷的产生。

关键词：沟槽、VDMOS、多晶、淀积、回蚀、清洗、栅源极漏电

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2014-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28