基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计

摘要：

产品设计时，是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片，器件电压种类繁多，最高电源为±15 V，基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺，5 V低压器件版图采用优化设计，在±15 V电源下，在同一芯片上实现了电路的高低压转换，没有发生击穿漏电现象，并满足了各种器件的电特性指标，产品工作稳定、性能可靠，并且整体性能良好。

关键词：CMOS、HVMOS、LDMOS、BICMOS

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：23-25