10.3969/j.issn.1681-1070.2014.06.013
工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,并利用试验证实,通过加深P阱深度,可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。
P阱、闩锁效应、可控硅、CMOS集成电路
TN433(微电子学、集成电路(IC))
2014-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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