MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

摘要：

针对两种应用于大功率领域的半导体器件--栅控晶闸管（MCT）和组合式绝缘栅晶体管（CIGBT），采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降，只有CIGBT的50%左右，而CIGBT得益于其电流饱和特性，具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量，更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性，结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率，并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。

关键词：组合式绝缘栅晶体管、栅控晶闸管、大功率应用、脉冲放电

分类号：TN386.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项02专项No.2011ZX02706-003；预研项目51308030407

在线出版日期：2014-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：32-36