10.3969/j.issn.1681-1070.2014.06.007
基于AMBA总线的高性能QDRⅡSRAM控制器设计
针对高速网络的需求,介绍了一种高速静态存储器QDRⅡ SRAM,设计了一种基于AMBA总线的高性能QDRⅡSRAM控制器IP,具有良好的接口兼容性和可移植性。使用了深度为8×72位的写出FIFO与8×72位读入缓冲,增加了系统存取的效率,设计通过仿真及实际验证,能够良好应用于系统时钟为800 MHz的SOC环境中,满足功能和时序要求。
QDR SRAM、存储、状态机、SOC
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2014-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
23-27,31