电路级热载流子效应仿真研究

摘要：

随着集成电路制造工艺的不断进步，沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小，而电路的电源电压没有按比例减小，易造成MOSFET的电流-电压特性退化，需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应（HCI）进行了仿真研究。

关键词：热载流子效应、MOSFET、IC

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2014-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-44