10.3969/j.issn.1681-1070.2014.04.011
外延参数稳定性控制方法
外延工艺广泛应用于双极集成电路、高压器件和CMOS集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性,从而提高外延片的成品率并降低多次调整带来的成本。讨论了影响硅外延层厚度和电阻率稳定控制的主要因素,通过优化刻蚀基座程序,使得桶式炉外延层厚度和电阻率得到良好的控制,一方面提高了产品的良率,另一方面大大降低了桶式炉硅外延片的生产成本,提高了经济效益。
外延厚度、外延电阻率、刻蚀基座、优化
TN304.054(半导体技术)
2014-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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