10.3969/j.issn.1681-1070.2014.04.001
有关QFN72和CQFN72的热阻计算
文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25 K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵列、芯片减薄和采用金基焊料焊接等。从CQFN热设计考虑,不应在主散热区热沉下采用4J29或4J42焊接垫片,否则会使热阻θJC增大10%以上。
QFN、CQFN、封装、热阻、热设计
TN305.94(半导体技术)
2014-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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