基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计

摘要：

由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PD SOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

关键词：集成电路、SOI、ESD保护设计、可靠性

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：29-32,40