0.13μm逻辑平台自对准工艺新型器件的优化

摘要：

增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺寸的不断缩小，自对准工艺的器件结构发生了变化，其器件的不均匀性效应越来越高地被凸现出来。文章将以0.13μm的逻辑工艺为例，阐述了工艺中的器件不均匀性效应以及通过调整多晶硅的制程参数（温度）的方式予以解决的实例。

关键词：金属氧化物半导体场效应管、多晶硅、器件

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2013-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38