SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究

摘要：

可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用，通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验，并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系；其次，针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选；最后，利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段，对失效样品进行了失效模式及机理分析，揭示了失效根源，为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。

关键词：可靠性筛选、绝缘体上硅、失效分析、光发射显微镜、激励源诱导故障测试

分类号：TN74+2.1(基本电子电路)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金JUSRP1026，JUDCF13032;江苏省普通高校研究生创新计划CXLX13_747;江苏高校优势学科建设工程资助项目

在线出版日期：2013-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：30-34