PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜，分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响，发现当硅烷氨气流量比增加时，薄膜厚度和折射率均随之增加，并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。

关键词：等离子体增强化学气相沉积法、氮化硅薄膜、硅烷氨气流量比、退火

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2013-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：40-43