10.3969/j.issn.1681-1070.2013.11.009
用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究
基于ONO(Oxide-Nitride-Oxide)和MTM(Metal-to-Metal)反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的Ron=Vf/Ip的关系基本一致。
MTM反熔丝、ONO反熔丝、可编程器件
TN305(半导体技术)
2013-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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