一种基于0.5μm CMOS工艺圆片级可靠性评估方法*

摘要：

论文提出了0.5μm CMOS工艺圆片级可靠性（WLR）评估的方法，为工艺、电路可靠性提高和及时在线控制开拓了新思路。论文针对0.5μm工艺中金属电迁移以及器件热载流子等失效项，分别给出了相关内容的工艺物理机理、测试结构、测试方法和结果。测试得出单一电迁移失效、热载流子失效寿命可以达到1×109数量级（几十年），初步实现了工艺可靠性的在线监控。

关键词：集成电路制造、圆片级可靠性、金属电迁移、热载流子

分类号：TN306(半导体技术)

资助基金：国防科技预研项目0308XJ0100

在线出版日期：2013-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-39