ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用

摘要：

硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数（高K）材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容（MLCC），硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积（ALD）制备的Al2O3薄膜的介电特性，通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺，发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下，ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm，相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2，漏电流小于5 nA/mm2。

关键词：硅基电容器、三氧化二铝、深槽、介电特性、原子层沉积

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2013-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34