体硅集成电路版图抗辐射加固设计技术研究

摘要：

辐射效应是电路在太空等领域应用时遇到的首要问题，常常会引起电路出错或失效。为了满足抗辐射电路设计的需求，必须提高电路抗辐射效应的能力。文章分析了辐射效应对器件产生的影响。针对电路在辐射环境中应用时存在的问题，文章从版图抗辐射设计加固的角度出发，介绍了抗总剂量的环形栅、倒比例器件，以及抗单粒子昆倾效应抗辐射版图的设计方法。在电路设计时，通过上述几种版图设计方法的应用，可以提高电路的抗辐射性能，进而提高电路的可靠性。

关键词：辐射效应、版图设计、可靠性

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：26-30