65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究*

摘要：

重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响.文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹.基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因.

关键词：重离子辐照、径迹、65nm n沟MOSFET、模拟

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2013-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30