基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

摘要：

由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂.常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的.文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易.而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现.通过工艺流片验证,器件特性良好.

关键词：SOI、高压NMOS、工艺

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2013-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：36-38