二氧化硅工艺中颗粒污染的解决方案

摘要：

在亚微米的半导体生产制造技术中,二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压,已经成为产品良率的主要影响因素.文章主要针对目前市面上流行的TEL Alpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究.通过大量的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验设备和器材,炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生颗粒污染的原因,并且找到解决问题的方案.在减少机台停机时间的同时,提高了机台的使用率,而且改善了颗粒污染的状况,最终获得良率的提升,优化了制造工艺.

关键词：颗粒、APCVD、二氧化硅、炉管

所属期刊栏目：13

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2013-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37