10.3969/j.issn.1681-1070.2012.12.001
多层封装基板中同步开关噪声研究
文章以栅格阵列封装(land grid array,LGA)模型为研究对象,分析了多层封装基板中的同步开关噪声(simultaneous switching noise,SSN)问题.首先利用频域仿真工具PowerSI得到了键合线和信号布线的S参数模型.然后通过在电路仿真工具HSPICE中加载封装结构的S参数模型和驱动器模型来仿真同步开关噪声.最后在设计中选取在多层基板上添加去耦电容的方式来减小同步开关噪声.仿真结果表明,通过在本LGA多层基板设计中添加110pF容值的去耦电容,可以较好地减少同步开关噪声,满足设计要求.
集成电路封装、栅格阵列封装、电磁建模、同步开关噪声
TN305.94(半导体技术)
2013-01-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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