GaAs MMIC设计及其可靠性研究

摘要：

文章使用PPH25X工艺3.2mm栅宽的PHEMT功率管芯设计了一款单级功率放大器.经过ADS软件仿真得出较理想的仿真结果.流片后比较了仿真结果与测试结果,在8.5GHz~10.5GHz的频率范围内的实际测试小信号增益在7dB左右,在输入功率为24.8dBm的情况下,输出可以达到33dBm,输入驻波基本小于2.最后利用寿命加速实验对所设计的芯片进行了可靠性评价.经验证,沟道温度选取240℃、260℃和280℃的失效机理一致,在寿命加速分布图上外推出了该器件正常工作条件下的平均失效前寿命.

关键词：功率放大器、寿命加速、可靠性、PHEMT、平均失效前寿命

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44